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    Titel:

    Photoluminescence study of the nitrogen content effect on GaAs/GaAs1?xNx/GaAs/AlGaAs: (Si) quantum well

    Beteiligte:

    Hamdouni, A. (Autor:in) / Bousbih, F. (Autor:in) / Ben bouzid, S. (Autor:in) / Aloulou, S. (Autor:in) / Harmand, J. C. (Autor:in) / Chtourou, R. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -AMSTERDAM THEN LAUSANNE- C ; 28 ; 816-819

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2008

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0928-4931

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.1 / 660

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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