Critical barrier thickness for the formation of InGaAs/GaAs quantum dots: Fid-Bau Portal

Critical barrier thickness for the formation of InGaAs/GaAs quantum dots

Gutiérrez, M. / Hopkinson, M. / Liu, H. Y. / Tartakovskii, A. I. / Herrera, M. / González, D. / García, R.

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Titel:

Critical barrier thickness for the formation of InGaAs/GaAs quantum dots

Beteiligte:

Gutiérrez, M. (Autor:in) / Hopkinson, M. (Autor:in) / Liu, H. Y. (Autor:in) / Tartakovskii, A. I. (Autor:in) / Herrera, M. (Autor:in) / González, D. (Autor:in) / García, R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -AMSTERDAM THEN LAUSANNE- C ; 25 ; 798-803

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0928-4931

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 660

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