Comprehensive modeling of ion-implant amorphization in silicon: Fid-Bau Portal

Comprehensive modeling of ion-implant amorphization in silicon

Mok, K. R. / Jaraiz, M. / Martin-Bragado, I. / Rubio, J. E. / Castrillo, P. / Pinacho, R. / Srinivasan, M. P. / Benistant, F.

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Titel:

Comprehensive modeling of ion-implant amorphization in silicon

Beteiligte:

Mok, K. R. (Autor:in) / Jaraiz, M. (Autor:in) / Martin-Bragado, I. (Autor:in) / Rubio, J. E. (Autor:in) / Castrillo, P. (Autor:in) / Pinacho, R. (Autor:in) / Srinivasan, M. P. (Autor:in) / Benistant, F. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 383-385

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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