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    Titel:

    Field effect on electron-hole recombination in Si/Si1−xGex/Si quantum wells having a W-like type II potential profile

    Beteiligte:

    Sfina, N. (Autor:in) / Lazzari, J. L. (Autor:in) / Said, M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -AMSTERDAM THEN LAUSANNE- C ; 26 ; 214-217

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0928-4931

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.1 / 660

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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