Temperature-dependent carbon incorporation into the Si1-yCy film during gas-source molecular beam epitaxy using monomethylsilane: Fid-Bau Portal

Temperature-dependent carbon incorporation into the Si1-yCy film during gas-source molecular beam epitaxy using monomethylsilane

Konno, A. / Senthil, K. / Murata, T. / Suemitsu, M.

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Titel:

Temperature-dependent carbon incorporation into the Si1-yCy film during gas-source molecular beam epitaxy using monomethylsilane

Beteiligte:

Konno, A. (Autor:in) / Senthil, K. (Autor:in) / Murata, T. (Autor:in) / Suemitsu, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 252 ; 3692-3696

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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