Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Rotated Epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) Substrate Using Monomethylsilane-Based Gas-Source Molecular-Beam Epitaxy

    Neue Suche nach: Sambonsuge, S.
    Neue Suche nach: Saito, E.
    Neue Suche nach: Jung, M.H.
    Neue Suche nach: Fukidome, H.
    Neue Suche nach: Filimonov, S.
    Neue Suche nach: Suemitsu, M.
    Neue Suche nach: Lebedev, A.A.
    Neue Suche nach: Davydov, S.Y.
    Neue Suche nach: Ivanov, P.A.
    Neue Suche nach: Levinshtein, M.E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Rotated Epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) Substrate Using Monomethylsilane-Based Gas-Source Molecular-Beam Epitaxy

    Neue Suche nach: Sambonsuge, S.
    Neue Suche nach: Saito, E.
    Neue Suche nach: Jung, M.H.
    Neue Suche nach: Fukidome, H.
    Neue Suche nach: Filimonov, S.
    Neue Suche nach: Suemitsu, M.
    Neue Suche nach: Lebedev, A.A.
    Neue Suche nach: Davydov, S.Y.
    Neue Suche nach: Ivanov, P.A.
    Neue Suche nach: Levinshtein, M.E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Rotated Epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) Substrate Using Monomethylsilane-Based Gas-Source Molecular-Beam Epitaxy

    Neue Suche nach: Sambonsuge, S.
    Neue Suche nach: Saito, E.
    Neue Suche nach: Jung, M.H.
    Neue Suche nach: Fukidome, H.
    Neue Suche nach: Filimonov, S.
    Neue Suche nach: Suemitsu, M.
    Neue Suche nach: Lebedev, A.A.
    Neue Suche nach: Davydov, S.Y.
    Neue Suche nach: Ivanov, P.A.
    Neue Suche nach: Levinshtein, M.E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Rotated Epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) Substrate Using Monomethylsilane-Based Gas-Source Molecular-Beam Epitaxy

    Beteiligte:

    Sambonsuge, S. (Autor:in) / Saito, E. (Autor:in) / Jung, M.H. (Autor:in) / Fukidome, H. (Autor:in) / Filimonov, S. (Autor:in) / Suemitsu, M. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y. / Ivanov, P.A. / Levinshtein, M.E.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 339-346

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2013

    Format / Umfang:

    8 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Temperature-dependent carbon incorporation into the Si1-yCy film during gas-source molecular beam epitaxy using monomethylsilane

    Konno, A. / Senthil, K. / Murata, T. et al. | British Library Online Contents | 2006

    Nucleation during molecular beam epitaxy

    Zhdanov, V. P. / Norton, P. R. | British Library Online Contents | 1994

    Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures

    Chang, Leroy L. | TIBKAT | 1985

    Growth of GaAsP by Solid Source Molecular Beam Epitaxy

    Jiao, G.C. / Liu, Z.T. / Shi, F. et al. | British Library Online Contents | 2013

    Gas source molecular beam epitaxy of -SiC on Si substrates

    Zekentes, K. / Becourt, N. / Androulidaki, M. et al. | British Library Online Contents | 1996

    Nach oben