Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Silane overpressure post-implant annealing of Al dopants in SiC: Cold wall CVD apparatus
Silane overpressure post-implant annealing of Al dopants in SiC: Cold wall CVD apparatus
Silane overpressure post-implant annealing of Al dopants in SiC: Cold wall CVD apparatus
Rao, S. (Autor:in) / Bergamini, F. (Autor:in) / Nipoti, R. (Autor:in) / Saddow, S. E. (Autor:in)
APPLIED SURFACE SCIENCE ; 252 ; 3837-3842
01.01.2006
6 pages
Aufsatz (Zeitschrift)
Englisch
DDC:
621.35
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Post-Implantation Annealing in a Silane Ambient Using Hot-Wall CVD
| British Library Online Contents | 2006
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