Properties of AlN epitaxial layers on 6H-SiC substrate grown by sublimation in argon, nitrogen, and their mixtures: Fid-Bau Portal

Properties of AlN epitaxial layers on 6H-SiC substrate grown by sublimation in argon, nitrogen, and their mixtures

Beshkova, M. / Zakhariev, Z. / Abrashev, M. V. / Birch, J. / Postovit, A. / Yakimova, R.

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Titel:

Properties of AlN epitaxial layers on 6H-SiC substrate grown by sublimation in argon, nitrogen, and their mixtures

Beteiligte:

Beshkova, M. (Autor:in) / Zakhariev, Z. (Autor:in) / Abrashev, M. V. (Autor:in) / Birch, J. (Autor:in) / Postovit, A. (Autor:in) / Yakimova, R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 129 ; 228-231

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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