Interband transitions and electronic properties of InAs/GaAs quantum dots embedded in AlxGa1-xAs/GaAs modulation-doped heterostructures: Fid-Bau Portal

Interband transitions and electronic properties of InAs/GaAs quantum dots embedded in AlxGa1-xAs/GaAs modulation-doped heterostructures

Im, H. C. / Kim, J. H. / Oh, D. H. / Kim, T. W. / Yoo, K. H. / Kim, M. D.

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Titel:

Interband transitions and electronic properties of InAs/GaAs quantum dots embedded in AlxGa1-xAs/GaAs modulation-doped heterostructures

Beteiligte:

Im, H. C. (Autor:in) / Kim, J. H. (Autor:in) / Oh, D. H. (Autor:in) / Kim, T. W. (Autor:in) / Yoo, K. H. (Autor:in) / Kim, M. D. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 252 ; 4146-4153

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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