Carrier confinement and interband transition properties of InAs/GaAs quantum dots grown by using atomic layer epitaxy: Fid-Bau Portal

Carrier confinement and interband transition properties of InAs/GaAs quantum dots grown by using atomic layer epitaxy

Kim, J. H. / Park, Y. J. / Park, Y. M. / Song, J. D. / Lee, J. I. / Kim, T. W.

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Titel:

Carrier confinement and interband transition properties of InAs/GaAs quantum dots grown by using atomic layer epitaxy

Beteiligte:

Kim, J. H. (Autor:in) / Park, Y. J. (Autor:in) / Park, Y. M. (Autor:in) / Song, J. D. (Autor:in) / Lee, J. I. (Autor:in) / Kim, T. W. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 3503-3507

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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