Interband transition studies of one-side modulation-doped AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs asymmetric step quantum wells: Fid-Bau Portal

Interband transition studies of one-side modulation-doped AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs asymmetric step quantum wells

Jung, M. / Kim, T. W. / Lee, D. U. / Choo, D. C. / Kim, H. J. / Jeong, J. H. / Kim, J. H. / Cho, J. W. / Yoo, K. H. / Park, Y. M.

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Jung, M. / Kim, T. W. / Lee, D. U. / Choo, D. C. / Kim, H. J. / Jeong, J. H. / Kim, J. H. / Cho, J. W. / Yoo, K. H. / Park, Y. M.

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Titel:

Interband transition studies of one-side modulation-doped AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs asymmetric step quantum wells

Beteiligte:

Jung, M. (Autor:in) / Kim, T. W. (Autor:in) / Lee, D. U. (Autor:in) / Choo, D. C. (Autor:in) / Kim, H. J. (Autor:in) / Jeong, J. H. (Autor:in) / Kim, J. H. (Autor:in) / Cho, J. W. (Autor:in) / Yoo, K. H. (Autor:in) / Park, Y. M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS RESEARCH BULLETIN ; 37 ; 2035-2041

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0025-5408

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11 / 620

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