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    Titel:

    Luminescence properties of hole traps in homojunction gallium nitride diodes grown by metal organic vapour phase epitaxy

    Beteiligte:

    Asghar, M. (Autor:in) / Muret, P. (Autor:in) / Hussain, I. (Autor:in) / Beaumont, B. (Autor:in) / Gibart, P. (Autor:in) / Shahid, M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 130 ; 173-176

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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