High-Mobility C60 Field-Effect Transistors Fabricated on Molecular- Wetting Controlled Substrates: Fid-Bau Portal

High-Mobility C60 Field-Effect Transistors Fabricated on Molecular- Wetting Controlled Substrates

Itaka, K. / Yamashiro, M. / Yamaguchi, J. / Haemori, M. / Yaginuma, S. / Matsumoto, Y. / Kondo, M. / Koinuma, H.

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Titel:

High-Mobility C60 Field-Effect Transistors Fabricated on Molecular- Wetting Controlled Substrates

Beteiligte:

Itaka, K. (Autor:in) / Yamashiro, M. (Autor:in) / Yamaguchi, J. (Autor:in) / Haemori, M. (Autor:in) / Yaginuma, S. (Autor:in) / Matsumoto, Y. (Autor:in) / Kondo, M. (Autor:in) / Koinuma, H. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 18 ; 1713-1716

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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