Backside Growth Thick Porous Silicon Layers for High Q on-Chip RF Integrated Inductors: Fid-Bau Portal

Backside Growth Thick Porous Silicon Layers for High Q on-Chip RF Integrated Inductors

Li, Y. / Yi, Z. / Guoyan, Z.

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Titel:

Backside Growth Thick Porous Silicon Layers for High Q on-Chip RF Integrated Inductors

Beteiligte:

Li, Y. (Autor:in) / Yi, Z. (Autor:in) / Guoyan, Z. (Autor:in)

Erschienen in:

RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING ; 35 ; 966-969

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1002-185X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 669

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