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Infrared absorption peaks in nitrogen doped CZ silicon

Inoue, N. / Nakatsu, M. / Ono, H. / Inoue, Y.

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Titel:

Infrared absorption peaks in nitrogen doped CZ silicon

Beteiligte:

Inoue, N. (Autor:in) / Nakatsu, M. (Autor:in) / Ono, H. (Autor:in) / Inoue, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 134 ; 202-206

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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