Shifts of the Infrared Absorption Peaks of Oxygen in Silicon Caused by Germanium-Doping: Fid-Bau Portal

Shifts of the Infrared Absorption Peaks of Oxygen in Silicon Caused by Germanium-Doping

Yamada-Kaneta, H. / Kaneta, C. / Ogawa, T.

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Titel:

Shifts of the Infrared Absorption Peaks of Oxygen in Silicon Caused by Germanium-Doping

Beteiligte:

Yamada-Kaneta, H. (Autor:in) / Kaneta, C. (Autor:in) / Ogawa, T. (Autor:in) / Taguchi, T.

Erschienen in:

Shallow Impurities in Semiconductors ; 207

MATERIALS SCIENCE FORUM

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

207 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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