Growth process of b-FeSi2 epitaxial film on Si(111) by molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Growth process of b-FeSi2 epitaxial film on Si(111) by molecular beam epitaxy

Ji, S. Y. / Wang, J. F. / Lim, J. W. / Isshiki, M.

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Titel:

Growth process of b-FeSi2 epitaxial film on Si(111) by molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Ji, S. Y. (Autor:in) / Wang, J. F. (Autor:in) / Lim, J. W. (Autor:in) / Isshiki, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 444-448

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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