High-k gate stack on GaAs and InGaAs using in situ passivation with amorphous silicon: Fid-Bau Portal

High-k gate stack on GaAs and InGaAs using in situ passivation with amorphous silicon

Oktyabrsky, S. / Tokranov, V. / Yakimov, M. / Moore, R. / Koveshnikov, S. / Tsai, W. / Zhu, F. / Lee, J. C.

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Titel:

High-k gate stack on GaAs and InGaAs using in situ passivation with amorphous silicon

Beteiligte:

Oktyabrsky, S. (Autor:in) / Tokranov, V. (Autor:in) / Yakimov, M. (Autor:in) / Moore, R. (Autor:in) / Koveshnikov, S. (Autor:in) / Tsai, W. (Autor:in) / Zhu, F. (Autor:in) / Lee, J. C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 135 ; 272-276

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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