SiC MESFET with a Double Gate Recess: Fid-Bau Portal

SiC MESFET with a Double Gate Recess

Nilsson, P. A. / Rorsman, N. / Sudow, M. / Andersson, K. / Hjelmgren, H. / Zirath, H.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

SiC MESFET with a Double Gate Recess

Nilsson, P. A. / Rorsman, N. / Sudow, M. / Andersson, K. / Hjelmgren, H. / Zirath, H.

SiC MESFET with a Double Gate Recess

Nilsson, P. A. / Rorsman, N. / Sudow, M. / Andersson, K. / Hjelmgren, H. / Zirath, H.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

SiC MESFET with a Double Gate Recess

Beteiligte:

Nilsson, P. A. (Autor:in) / Rorsman, N. (Autor:in) / Sudow, M. (Autor:in) / Andersson, K. (Autor:in) / Hjelmgren, H. (Autor:in) / Zirath, H. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1227-1230

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Tournier, D. / Vellvehi, M. / Godignon, P. et al. | British Library Online Contents | 2006

RF characteristics for 4H-SiC MESFET with a clival gate

Jia, Hujun / Xing, Ding / Zhang, Hang et al. | British Library Online Contents | 2015

RF characteristics for 4H-SiC MESFET with a clival gate

Jia, Hujun / Xing, Ding / Zhang, Hang et al. | British Library Online Contents | 2015

RF characteristics for 4H-SiC MESFET with a clival gate

Jia, Hujun / Xing, Ding / Zhang, Hang et al. | British Library Online Contents | 2015

Double Implanted Power MESFET Technology in 4H-SiC

Horsfall, A. B. / Ortolland, S. / Wright, N. G. et al. | British Library Online Contents | 2001

Nach oben