Double Gate 180V-128mA/mm SiC-MESFET for Power Switch Applications: Fid-Bau Portal

Double Gate 180V-128mA/mm SiC-MESFET for Power Switch Applications

Tournier, D. / Vellvehi, M. / Godignon, P. / Jorda, X. / Millan, J.

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Titel:

Double Gate 180V-128mA/mm SiC-MESFET for Power Switch Applications

Beteiligte:

Tournier, D. (Autor:in) / Vellvehi, M. (Autor:in) / Godignon, P. (Autor:in) / Jorda, X. (Autor:in) / Millan, J. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1243-1246

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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