Double Implanted Power MESFET Technology in 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Double Implanted Power MESFET Technology in 4H-SiC

Horsfall, A. B. / Ortolland, S. / Wright, N. G. / Johnson, C. M. / Knights, A. P.

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Titel:

Double Implanted Power MESFET Technology in 4H-SiC

Beteiligte:

Horsfall, A. B. (Autor:in) / Ortolland, S. (Autor:in) / Wright, N. G. (Autor:in) / Johnson, C. M. (Autor:in) / Knights, A. P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 353/356 ; 707-710

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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