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High Power-Density 4H-SiC RF MOSFETs

Gudjonsson, G. / Allerstam, F. / Olafsson, H. O. / Nilsson, P. A. / Hjelmgren, H. / Andersson, K. / Sveinbjornsson, E. O. / Zirath, H. / Rodle, T. / Jos, R.

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Gudjonsson, G. / Allerstam, F. / Olafsson, H. O. / Nilsson, P. A. / Hjelmgren, H. / Andersson, K. / Sveinbjornsson, E. O. / Zirath, H. / Rodle, T. / Jos, R.

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Titel:

High Power-Density 4H-SiC RF MOSFETs

Beteiligte:

Gudjonsson, G. (Autor:in) / Allerstam, F. (Autor:in) / Olafsson, H. O. (Autor:in) / Nilsson, P. A. (Autor:in) / Hjelmgren, H. (Autor:in) / Andersson, K. (Autor:in) / Sveinbjornsson, E. O. (Autor:in) / Zirath, H. (Autor:in) / Rodle, T. (Autor:in) / Jos, R. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1277-1280

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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