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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Solution Growth of SiC Crystal with High Growth Rate Using Accelerated Crucible Rotation Technique

    Beteiligte:

    Kusunoki, K. (Autor:in) / Kamei, K. (Autor:in) / Okada, N. (Autor:in) / Yashiro, N. (Autor:in) / Yauchi, A. (Autor:in) / Ujihara, T. (Autor:in) / Nakajima, K. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 119-122

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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