Epitaxial Growth of 4H-SiC {0001} with Large Off-Angles by Chemical Vapor Deposition: Fid-Bau Portal

Epitaxial Growth of 4H-SiC {0001} with Large Off-Angles by Chemical Vapor Deposition

Saitoh, H. / Manabe, A. / Kimoto, T.

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Titel:

Epitaxial Growth of 4H-SiC {0001} with Large Off-Angles by Chemical Vapor Deposition

Beteiligte:

Saitoh, H. (Autor:in) / Manabe, A. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 223-226

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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