Growth of Thick Epitaxial 4H-SiC Layers by Chemical Vapor Deposition: Fid-Bau Portal

Growth of Thick Epitaxial 4H-SiC Layers by Chemical Vapor Deposition

Kordina, O. / Irvine, K. / Sumakeris, J. / Kong, H. S. / Paisley, M. J. / Carter, C. H.

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Titel:

Growth of Thick Epitaxial 4H-SiC Layers by Chemical Vapor Deposition

Beteiligte:

Kordina, O. (Autor:in) / Irvine, K. (Autor:in) / Sumakeris, J. (Autor:in) / Kong, H. S. (Autor:in) / Paisley, M. J. (Autor:in) / Carter, C. H. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H. / Monemar, B. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 107-110

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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