Comparison of Propagation and Nucleation of Basal Plane Dislocations in 4H-SiC(000-1) and (0001) Epitaxy: Fid-Bau Portal

Comparison of Propagation and Nucleation of Basal Plane Dislocations in 4H-SiC(000-1) and (0001) Epitaxy

Tsuchida, H. / Kamata, I. / Miyanagi, T. / Nakamura, T. / Nakayama, K. / Ishii, R. / Sugawara, Y.

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Titel:

Comparison of Propagation and Nucleation of Basal Plane Dislocations in 4H-SiC(000-1) and (0001) Epitaxy

Beteiligte:

Tsuchida, H. (Autor:in) / Kamata, I. (Autor:in) / Miyanagi, T. (Autor:in) / Nakamura, T. (Autor:in) / Nakayama, K. (Autor:in) / Ishii, R. (Autor:in) / Sugawara, Y. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 231-234

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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