Selective Epitaxial Growth of 3C-SiC on Si Using Hexamethyldisilane in a Resistance Heated MOCVD Reactor: Fid-Bau Portal

Selective Epitaxial Growth of 3C-SiC on Si Using Hexamethyldisilane in a Resistance Heated MOCVD Reactor

Gupta, A. / Jacob, C.

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Titel:

Selective Epitaxial Growth of 3C-SiC on Si Using Hexamethyldisilane in a Resistance Heated MOCVD Reactor

Beteiligte:

Gupta, A. (Autor:in) / Jacob, C. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 303-306

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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