Structure of Carrot Defects in 4H-SiC Epilayers: Fid-Bau Portal

Structure of Carrot Defects in 4H-SiC Epilayers

Zhang, X. / Ha, S. / Benamara, M. / Skowronski, M. / Sumakeris, J. J. / Ryu, S. / Paisley, M. J. / O Loughlin, M. J.

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Titel:

Structure of Carrot Defects in 4H-SiC Epilayers

Beteiligte:

Zhang, X. (Autor:in) / Ha, S. (Autor:in) / Benamara, M. (Autor:in) / Skowronski, M. (Autor:in) / Sumakeris, J. J. (Autor:in) / Ryu, S. (Autor:in) / Paisley, M. J. (Autor:in) / O Loughlin, M. J. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 327-332

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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