Simulation of intrinsic point defect properties and vacancy clustering during Czochralski germanium crystal growth: Fid-Bau Portal

Simulation of intrinsic point defect properties and vacancy clustering during Czochralski germanium crystal growth

Spiewak, P. / Kurzydlowski, K. J. / Vanhellemont, J. / Clauws, P. / Wabinski, P. / Mlynarczyk, K. / Romandic, I. / Theuwis, A.

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Titel:

Simulation of intrinsic point defect properties and vacancy clustering during Czochralski germanium crystal growth

Beteiligte:

Spiewak, P. (Autor:in) / Kurzydlowski, K. J. (Autor:in) / Vanhellemont, J. (Autor:in) / Clauws, P. (Autor:in) / Wabinski, P. (Autor:in) / Mlynarczyk, K. (Autor:in) / Romandic, I. (Autor:in) / Theuwis, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 465-470

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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