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    Titel:

    Germanium MOS capacitors with hafnium dioxide and silicon dioxide dielectrics

    Beteiligte:

    Wadsworth, H. J. (Autor:in) / Bhattacharya, S. (Autor:in) / McNeill, D. W. (Autor:in) / Ruddell, F. H. (Autor:in) / Armstrong, B. M. (Autor:in) / Gamble, H. S. (Autor:in) / Denvir, D. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 685-689

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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