Progress in Cold-Wall Epitaxy for 4H-SiC High-Power Devices: Fid-Bau Portal

Progress in Cold-Wall Epitaxy for 4H-SiC High-Power Devices

Rowland, L. B. / Dunne, G. T. / Fronheiser, J. / Soloviev, S.

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Titel:

Progress in Cold-Wall Epitaxy for 4H-SiC High-Power Devices

Beteiligte:

Rowland, L. B. (Autor:in) / Dunne, G. T. (Autor:in) / Fronheiser, J. (Autor:in) / Soloviev, S. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I. / Horsfall, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 141-144

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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