Absence of Dislocation Motion in 3C-SiC pn Diodes under Forward Bias: Fid-Bau Portal

Absence of Dislocation Motion in 3C-SiC pn Diodes under Forward Bias

Speer, K. M. / Spry, D. J. / Trunek, A. J. / Neudeck, P. G. / Crimp, M. A. / Hile, J. T. / Burda, C. / Pirouz, P.

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Speer, K. M. / Spry, D. J. / Trunek, A. J. / Neudeck, P. G. / Crimp, M. A. / Hile, J. T. / Burda, C. / Pirouz, P.

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Titel:

Absence of Dislocation Motion in 3C-SiC pn Diodes under Forward Bias

Beteiligte:

Speer, K. M. (Autor:in) / Spry, D. J. (Autor:in) / Trunek, A. J. (Autor:in) / Neudeck, P. G. (Autor:in) / Crimp, M. A. (Autor:in) / Hile, J. T. (Autor:in) / Burda, C. (Autor:in) / Pirouz, P. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 223-226

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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