EPR, ESE and Pulsed ENDOR Study of Nitrogen Related Centers in 4H-SiC Wafers Grown by Different Technologies: Fid-Bau Portal

EPR, ESE and Pulsed ENDOR Study of Nitrogen Related Centers in 4H-SiC Wafers Grown by Different Technologies

Kalabukhova, E. N. / Lukin, S. N. / Savchenko, D. V. / Mitchel, W. C. / Greulich-Weber, S. / Gerstmann, U. / Poppl, A. / Hoentsch, J. / Rauls, E. / Rozentzveig, Y.

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Kalabukhova, E. N. / Lukin, S. N. / Savchenko, D. V. / Mitchel, W. C. / Greulich-Weber, S. / Gerstmann, U. / Poppl, A. / Hoentsch, J. / Rauls, E. / Rozentzveig, Y.

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Kalabukhova, E. N. / Lukin, S. N. / Savchenko, D. V. / Mitchel, W. C. / Greulich-Weber, S. / Gerstmann, U. / Poppl, A. / Hoentsch, J. / Rauls, E. / Rozentzveig, Y.

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Titel:

EPR, ESE and Pulsed ENDOR Study of Nitrogen Related Centers in 4H-SiC Wafers Grown by Different Technologies

Beteiligte:

Kalabukhova, E. N. (Autor:in) / Lukin, S. N. (Autor:in) / Savchenko, D. V. (Autor:in) / Mitchel, W. C. (Autor:in) / Greulich-Weber, S. (Autor:in) / Gerstmann, U. (Autor:in) / Poppl, A. (Autor:in) / Hoentsch, J. (Autor:in) / Rauls, E. (Autor:in) / Rozentzveig, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 355-358

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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