Micro-Raman Investigation of Defects in a 4H-SiC Homoepilayer: Fid-Bau Portal

Micro-Raman Investigation of Defects in a 4H-SiC Homoepilayer

Liu, X. F. / Sun, G. S. / Li, J. M. / Zhao, Y. M. / Li, J. Y. / Wang, L. / Zhao, W. S. / Luo, M. C. / Zeng, Y. P.

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Titel:

Micro-Raman Investigation of Defects in a 4H-SiC Homoepilayer

Beteiligte:

Liu, X. F. (Autor:in) / Sun, G. S. (Autor:in) / Li, J. M. (Autor:in) / Zhao, Y. M. (Autor:in) / Li, J. Y. (Autor:in) / Wang, L. (Autor:in) / Zhao, W. S. (Autor:in) / Luo, M. C. (Autor:in) / Zeng, Y. P. (Autor:in) / Wright, N.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 387-390

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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