Deep Acceptor Levels of the Carbon Vacancy-Carbon Antisite Pairs in 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Deep Acceptor Levels of the Carbon Vacancy-Carbon Antisite Pairs in 4H-SiC

Carlsson, P. / Son, N. T. / Umeda, T. / Isoya, J. / Janzen, E.

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Titel:

Deep Acceptor Levels of the Carbon Vacancy-Carbon Antisite Pairs in 4H-SiC

Beteiligte:

Carlsson, P. (Autor:in) / Son, N. T. (Autor:in) / Umeda, T. (Autor:in) / Isoya, J. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I. / Horsfall, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 449-452

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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