Defect Level of the Carbon Vacancy-Carbon Antisite Pair Center in SI 4H SiC: Fid-Bau Portal

Defect Level of the Carbon Vacancy-Carbon Antisite Pair Center in SI 4H SiC

Zvanut, M.E. / Ngetich, G. / Chung, H.J. / Polyakov, A.Y. / Skowronski, M. / Garces, N.Y. / Glaser, E.R.

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Titel:

Defect Level of the Carbon Vacancy-Carbon Antisite Pair Center in SI 4H SiC

Beteiligte:

Zvanut, M.E. (Autor:in) / Ngetich, G. (Autor:in) / Chung, H.J. (Autor:in) / Polyakov, A.Y. (Autor:in) / Skowronski, M. (Autor:in) / Garces, N.Y. (Autor:in) / Glaser, E.R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 385-388

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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