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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Breakdown Voltage Characteristics of FLR-Assisted SiC-SBD Formed by Aluminum Metal Junction Edge Termination

    Beteiligte:

    Kim, S. J. (Autor:in) / Choi, Y. S. (Autor:in) / Yu, S. J. (Autor:in) / Kim, S. C. (Autor:in) / Bahng, W. (Autor:in) / Lee, K. H. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 861-864

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2007

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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