Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor structures by the admittance spectroscopy method: Fid-Bau Portal

Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor structures by the admittance spectroscopy method

Kochowski, S. / Nitsch, K. / Paszkiewicz, B. / Paszkiewicz, R. / Szydlowski, M.

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Titel:

Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor structures by the admittance spectroscopy method

Beteiligte:

Kochowski, S. (Autor:in) / Nitsch, K. (Autor:in) / Paszkiewicz, B. (Autor:in) / Paszkiewicz, R. (Autor:in) / Szydlowski, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 235 ; 389-394

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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