Electrical characterization of low defect density nonpolar (1120) a-plane GaN grown with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO): Fid-Bau Portal

Electrical characterization of low defect density nonpolar (1120) a-plane GaN grown with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO)

Imer, B. / Haskell, B. / Rajan, S. / Keller, S. / Mishra, U.K. / Nakamura, S. / Speck, J.S. / DenBaars, S.P.

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Titel:

Electrical characterization of low defect density nonpolar (1120) a-plane GaN grown with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO)

Beteiligte:

Imer, B. (Autor:in) / Haskell, B. (Autor:in) / Rajan, S. (Autor:in) / Keller, S. (Autor:in) / Mishra, U.K. (Autor:in) / Nakamura, S. (Autor:in) / Speck, J.S. (Autor:in) / DenBaars, S.P. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH THEN WARRENDALE- ; 23 ; 551-555

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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