Fabrication, morphology, and photoluminescence properties of GaN nanowires and nanorods by ammoniating Ga2O3/V films on Si(111): Fid-Bau Portal

Fabrication, morphology, and photoluminescence properties of GaN nanowires and nanorods by ammoniating Ga2O3/V films on Si(111)

Yang, Z. / Xue, C. / Zhuang, H. / Qin, L. / Chen, J. / Li, H. / Zhang, D.

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Yang, Z. / Xue, C. / Zhuang, H. / Qin, L. / Chen, J. / Li, H. / Zhang, D.

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Titel:

Fabrication, morphology, and photoluminescence properties of GaN nanowires and nanorods by ammoniating Ga2O3/V films on Si(111)

Beteiligte:

Yang, Z. (Autor:in) / Xue, C. (Autor:in) / Zhuang, H. (Autor:in) / Qin, L. (Autor:in) / Chen, J. (Autor:in) / Li, H. (Autor:in) / Zhang, D. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 4166-4170

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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