Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Thermal annealing effects on a compositionally graded SiGe layer fabricated by oxidizing a strained SiGe layer

    Neue Suche nach: Cai, K.
    Neue Suche nach: Li, C.
    Neue Suche nach: Zhang, Y.
    Neue Suche nach: Xu, J.
    Neue Suche nach: Lai, H.
    Neue Suche nach: Chen, S.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Thermal annealing effects on a compositionally graded SiGe layer fabricated by oxidizing a strained SiGe layer

    Neue Suche nach: Cai, K.
    Neue Suche nach: Li, C.
    Neue Suche nach: Zhang, Y.
    Neue Suche nach: Xu, J.
    Neue Suche nach: Lai, H.
    Neue Suche nach: Chen, S.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Thermal annealing effects on a compositionally graded SiGe layer fabricated by oxidizing a strained SiGe layer

    Neue Suche nach: Cai, K.
    Neue Suche nach: Li, C.
    Neue Suche nach: Zhang, Y.
    Neue Suche nach: Xu, J.
    Neue Suche nach: Lai, H.
    Neue Suche nach: Chen, S.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Thermal annealing effects on a compositionally graded SiGe layer fabricated by oxidizing a strained SiGe layer

    Beteiligte:

    Cai, K. (Autor:in) / Li, C. (Autor:in) / Zhang, Y. (Autor:in) / Xu, J. (Autor:in) / Lai, H. (Autor:in) / Chen, S. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 5363-5366

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2008

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Role of thermal annealing on SiGe thin films fabricated by PECVD

    Joseph, Sudha / Saraf, Nileshi / Umamaheswara, Adithi et al. | British Library Online Contents | 2015

    Role of thermal annealing on SiGe thin films fabricated by PECVD

    Joseph, Sudha / Saraf, Nileshi / Umamaheswara, Adithi et al. | British Library Online Contents | 2015

    Role of thermal annealing on SiGe thin films fabricated by PECVD

    Joseph, Sudha / Saraf, Nileshi / Umamaheswara, Adithi et al. | British Library Online Contents | 2015

    Misfit dislocation nucleation and multiplication in fully strained SiGe/Si heterostructures under thermal annealing

    Rzaev, M. / Schaffler, F. / Vdovin, V. et al. | British Library Online Contents | 2005

    Raman study of strained SiGe layers

    Gu, S. / Zhang, R. / Han, P. et al. | British Library Online Contents | 1994

    Nach oben