Thermal evolution of defects produced by implantation of H, D and He in Silicon: Fid-Bau Portal

Thermal evolution of defects produced by implantation of H, D and He in Silicon

Simpson, P. J. / Knights, A. P. / Chicoine, M. / Dudeck, K. / Moutanabbir, O. / Ruffell, S. / Schiettekatte, F. / Terreault, B.

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Titel:

Thermal evolution of defects produced by implantation of H, D and He in Silicon

Beteiligte:

Simpson, P. J. (Autor:in) / Knights, A. P. (Autor:in) / Chicoine, M. (Autor:in) / Dudeck, K. (Autor:in) / Moutanabbir, O. (Autor:in) / Ruffell, S. (Autor:in) / Schiettekatte, F. (Autor:in) / Terreault, B. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 255 ; 63-67

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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