Ge nanocrystal charge trapping devices fabricated by one-step oxidation on poly-SiGe: Fid-Bau Portal

Ge nanocrystal charge trapping devices fabricated by one-step oxidation on poly-SiGe

Kao, C. H. / Lai, C. S. / Huang, C. S. / Fan, K. M.

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Titel:

Ge nanocrystal charge trapping devices fabricated by one-step oxidation on poly-SiGe

Beteiligte:

Kao, C. H. (Autor:in) / Lai, C. S. (Autor:in) / Huang, C. S. (Autor:in) / Fan, K. M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 255 ; 2512-2516

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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