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    Titel:

    Promoting strain relaxation of Si0.72Ge0.28 film on Si (100) substrate by inserting a low-temperature Ge islands layer in UHVCVD

    Beteiligte:

    Zhou, Z. (Autor:in) / Cai, Z. (Autor:in) / Li, C. (Autor:in) / Lai, H. (Autor:in) / Chen, S. (Autor:in) / Yu, J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 255 ; 2660-2664

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2008

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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