Performance improvement of GaN-based HEMT grown on silicon (111) substrate by inserting low temperature AlN layer: Fid-Bau Portal

Performance improvement of GaN-based HEMT grown on silicon (111) substrate by inserting low temperature AlN layer

Lin, J. H. / Huang, S. J. / Su, Y. K. / Lai, C. H.

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Titel:

Performance improvement of GaN-based HEMT grown on silicon (111) substrate by inserting low temperature AlN layer

Beteiligte:

Lin, J. H. (Autor:in) / Huang, S. J. (Autor:in) / Su, Y. K. (Autor:in) / Lai, C. H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 354 ; 148-154

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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