Reduced Pressure-Chemical Vapour Deposition of Si/SiGe heterostructures for nanoelectronics: Fid-Bau Portal

Reduced Pressure-Chemical Vapour Deposition of Si/SiGe heterostructures for nanoelectronics

Hartmann, J. M. / Andrieu, F. / Lafond, D. / Ernst, T. / Bogumilowicz, Y. / Delaye, V. / Weber, O. / Rouchon, D. / Papon, A. M. / Cherkashin, N.

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Hartmann, J. M. / Andrieu, F. / Lafond, D. / Ernst, T. / Bogumilowicz, Y. / Delaye, V. / Weber, O. / Rouchon, D. / Papon, A. M. / Cherkashin, N.

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Titel:

Reduced Pressure-Chemical Vapour Deposition of Si/SiGe heterostructures for nanoelectronics

Beteiligte:

Hartmann, J. M. (Autor:in) / Andrieu, F. (Autor:in) / Lafond, D. (Autor:in) / Ernst, T. (Autor:in) / Bogumilowicz, Y. (Autor:in) / Delaye, V. (Autor:in) / Weber, O. (Autor:in) / Rouchon, D. (Autor:in) / Papon, A. M. (Autor:in) / Cherkashin, N. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 154-155 ; 76-84

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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