Criteria for Accurate Measurement of Charge-Pumping Current in 4H-SiC MOSFETs: Fid-Bau Portal

Criteria for Accurate Measurement of Charge-Pumping Current in 4H-SiC MOSFETs

Okamoto, D. / Yano, H. / Hatayama, T. / Uraoka, Y. / Fuyuki, T.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Criteria for Accurate Measurement of Charge-Pumping Current in 4H-SiC MOSFETs

Okamoto, D. / Yano, H. / Hatayama, T. / Uraoka, Y. / Fuyuki, T.

Criteria for Accurate Measurement of Charge-Pumping Current in 4H-SiC MOSFETs

Okamoto, D. / Yano, H. / Hatayama, T. / Uraoka, Y. / Fuyuki, T.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Criteria for Accurate Measurement of Charge-Pumping Current in 4H-SiC MOSFETs

Beteiligte:

Okamoto, D. (Autor:in) / Yano, H. (Autor:in) / Hatayama, T. (Autor:in) / Uraoka, Y. (Autor:in) / Fuyuki, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 747-750

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Scozzie, C. J. / McGarrity, J. M. | British Library Online Contents | 1998

Frequency-Dependent Charge Pumping on 4H-SiC MOSFETs

Yu, L.C. / Fronheiser, J. / Tilak, V. et al. | British Library Online Contents | 2012

Characterization of POCl~3-Annealed 4H-Sic Mosfets by Charge Pumping Technique

Osawa, A. / Yano, H. / Hatayama, T. et al. | British Library Online Contents | 2013

Qualitative criteria for anti-pumping geocomposites

Alobaidi, I. | Online Contents | 1998

High-Current, NO-Annealed Lateral 4H-SiC MOSFETs

Das, M. K. / Chung, G. Y. / Williams, J. R. et al. | British Library Online Contents | 2002

Nach oben