High-Current, NO-Annealed Lateral 4H-SiC MOSFETs: Fid-Bau Portal

High-Current, NO-Annealed Lateral 4H-SiC MOSFETs

Das, M. K. / Chung, G. Y. / Williams, J. R. / Saks, N. S. / Lipkin, L. A. / Palmour, J. W.

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Titel:

High-Current, NO-Annealed Lateral 4H-SiC MOSFETs

Beteiligte:

Das, M. K. (Autor:in) / Chung, G. Y. (Autor:in) / Williams, J. R. (Autor:in) / Saks, N. S. (Autor:in) / Lipkin, L. A. (Autor:in) / Palmour, J. W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 981-984

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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