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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Characterization of Schottky Diodes on 4H-SiC with Various Off-Axis Angles Grown by Sublimation Epitaxy

    Beteiligte:

    Nakamura, M. (Autor:in) / Hashino, Y. (Autor:in) / Furusho, T. (Autor:in) / Kinoshita, H. (Autor:in) / Shiomi, H. (Autor:in) / Yoshimoto, M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 967-970

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2009

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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