Microwave p-i-n Diodes Fabricated on 4H-SiC Material Grown by Sublimation Epitaxy in Vacuum: Fid-Bau Portal

Microwave p-i-n Diodes Fabricated on 4H-SiC Material Grown by Sublimation Epitaxy in Vacuum

Camara, N. / Romanov, L. P. / Kirillov, A. V. / Boltovets, M. S. / Lebedev, A. A. / Zelenin, V. V. / Kayambaki, M. / Zekentes, K.

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Camara, N. / Romanov, L. P. / Kirillov, A. V. / Boltovets, M. S. / Lebedev, A. A. / Zelenin, V. V. / Kayambaki, M. / Zekentes, K.

Microwave p-i-n Diodes Fabricated on 4H-SiC Material Grown by Sublimation Epitaxy in Vacuum

Camara, N. / Romanov, L. P. / Kirillov, A. V. / Boltovets, M. S. / Lebedev, A. A. / Zelenin, V. V. / Kayambaki, M. / Zekentes, K.

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Titel:

Microwave p-i-n Diodes Fabricated on 4H-SiC Material Grown by Sublimation Epitaxy in Vacuum

Beteiligte:

Camara, N. (Autor:in) / Romanov, L. P. (Autor:in) / Kirillov, A. V. (Autor:in) / Boltovets, M. S. (Autor:in) / Lebedev, A. A. (Autor:in) / Zelenin, V. V. (Autor:in) / Kayambaki, M. (Autor:in) / Zekentes, K. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 933-936

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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